Punti culminanti di u produttu: Riscaldamentu laser per a ricottura di wafer di semiconduttori

A ricottura di i wafer hè un prucessu criticu in a fabricazione di semiconduttori, chì include l'attivazione di i dopanti, u restauramentu di u reticolo è a furmazione di giunzioni ultra-superficiali (USJ). A ricottura di u fornu convenzionale è u trattamentu termicu rapidu (RTP) soffrenu di budget termichi elevati, una diffusione di dopanti mal cuntrullata è una uniformità insufficiente, chì li rendenu inadeguati per i nodi di tecnulugia avanzata à 7 nm, 5 nm è oltre, in particulare per l'architetture Gate-All-Around (GAA) è a memoria flash NAND 3D. A ricottura di i wafer basata nantu à u laser, cù a so irradiazione transitoria à alta energia, a precisione spaziale à scala micron è a diffusione termica minima, hè emersa cum'è u prucessu core di prossima generazione per risponde à questi requisiti di fabricazione esigenti.

Principiu Core di u Riscaldamentu Laser

A testa di riscaldamentu laser Wave Optics presenta un cuncepimentu otticu pruprietariu chì furnisce fasci laser à alta energia è termicamente uniformi per una irradiazione precisa di e superfici di e wafer. U laser verde offre una eccellente corrispondenza di assorbimentu cù i materiali à basa di siliciu (cumpresi SiC), chì permette un trattamentu termicu à alta efficienza senza dannà a wafer. Questu facilita a ricristallizazione di u stratu dannighjatu impiantatu da ioni è una attivazione efficiente di u dopante. In seguitu, l'alta conducibilità termica di u substratu permette un raffreddamentu ultrarapidu, chì congela a struttura di u reticolo è sopprime a diffusione di u dopante. Stu prucessu produce cù successu giunzioni ultrasuperficiali cù alta efficienza di attivazione è un prufilu di giunzione ripido (brusco).

A ricottura di riscaldamentu laser hè critica per migliurà u rendimentu di a trasfurmazione di e cialde

1. Uniformità di u fasciu: L'uniformità energetica di u puntu di u fasciu à cima piatta supera u 95% (tipicu), eliminendu a sovrafusione o a sottoricottura lucale.
2. Stabilità energetica: A fluttuazione cuntinua di l'energia di pruduzzione hè inferiore à 2%, assicurendu una eccellente consistenza da wafer à wafer è da batch à batch.
3. Precisione di a Figura di Superficie: I cumpunenti ottici presentanu valori PV/RMS à scala nanometrica cù una distorsione di u fronte d'onda ben cuntrullata, chì impedisce i danni di i punti caldi.
4. Prufundità di focu è forma di u fasciu: A prufundità di focu persunalizabile cumminata cù l'omogeneizazione di l'integratore di fasciu supporta a scansione di campu cumpletu di wafer di grande diametru.
5. Corrispondenza di lunghezza d'onda: Ottimizzata per bande d'onda ad alta assorbimentu di siliciu è semiconduttori di terza generazione (per esempiu, SiC, GaN) per massimizà l'efficienza di l'utilizazione di l'energia.

Trè Vantaghji Chjave rispetto à a Ricottura Convenzionale

1. Eccellente soppressione di a diffusione di dopanti - L'esposizione termica hè limitata à a gamma da nanosecondi à millisecondi cù una diffusione di dopanti quasi nulla, una capacità irraggiungibile per ricottura in fornu o RTP.

2. Budget termicu bassu è danni minimi à u dispusitivu - Solu a superficia di a cialda sperimenta temperature elevate transitorie, chì ùn risultanu in alcuna deformazione termica di u substratu o di e strutture di u dispusitivu è nisuna degradazione interfacciale.

3. Ricottura di precisione à zona selettiva - I punti di fasciu à scala micron sintonizzabile supportanu a ricottura lucalizzata per l'integrazione 3D è i dispositivi integrati eterogenei.

Scenarii d'applicazione

L'applicazioni includenu l'attivazione di source/drain, a riparazione di canali è a ricottura di cuntattu ohmicu per logica avanzata (GAA/CFET), DRAM/3D NAND, dispositivi di alimentazione SiC/GaN, SOI è dispositivi micro/nano. A ricottura laser offre miglioramenti simultanei in u rendimentu è in e prestazioni di u dispositivu.

A ricottura laser cambia u trattamentu di i wafer da a ricottura globale (di coperta) à a ricottura lucale di precisione. A so putente tecnulugia ottica sustene a scalabilità cuntinua è e scoperte di prestazioni di i nodi di semiconduttori avanzati.

Scheda di Specificazione di u Produttu